Numéro de produit du fabricant:
TSM6N60CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM6N60CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12895690
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SOUMETTRE
TSM6N60CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1248 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM6N60CP ROGDKR-DG
TSM6N60CP ROGDKR
TSM6N60CP ROGCT
TSM6N60CPROGTR
TSM6N60CP ROGTR
TSM6N60CP ROGTR-DG
TSM6N60CP ROGCT-DG
TSM6N60CPROGCT
TSM6N60CPROGDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPD03N50C3ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SPD03N50C3ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
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0.54
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